Intel et Micron annoncent avoir réussi à produire une puce de mémoire Flash NAND gravée en 20nm d’une capacité de 128 Gb.
C’est en fait via leur joint-ventrue IMFT (IM Flash Technologies) qu’Intel et Micron ont réussi à développer la première puce mémoire Flash NAND MLC (Multi-Level Cell) gravée en 20nm offrant une capacité de 128 Gb, soit 16 Go.
Ces nouvelles puces peuvent par exemple permettre la production de SSD d’une capacité de 1 To (1000 Go) et pourront ainsi intégrer ordinateurs portables, Tablettes et même des Smartphones.
Elles prennent en charge la norme ONFI version 3.0 permettant d’obtenir des débits de 333 MT/s (megatransferts par seconde).
On apprend en outre que pour ces puces, IMFT a employé une nouvelle structure de cellule innovante appelée structure planaire des cellules pour les transistors MOS à grille flottante qui permet d’empiler des grilles en Hi-K/Métal (grilles haute conduction).
Avec cette technologie, IMFT assure réussir à offrir de meilleures performances mais aussi une meilleure fiabilité par rapport aux puces de génération précédente en 25nm.
Les premiers exemplaires de tests de ces puces de mémoire Flash NAND MLC de 128 Gb en 20nm seront disponibles dès janvier pour une production de masse prévue pour le premier semestre 2012.
Intel et Micron annoncent par ailleurs avoir débuté la production de masse de leurs puces mémoire Flash NAND de 64 Gb en 20nm.
[Source : Intel et LaptopSpirit]
