Samsung vient d’annoncer la production de masse de puces mémoires 2 Go (16 Gbits) flash NAND MLC gravées en 51 nanomètres.
La mémoire MLC est confrontée à la mémoire SLC, qui est plus rapide mais aussi plus chère.
La gravure en 51 nm permet un rendement 60% supérieur à la gravure en 60 nm et des transferts 80% plus rapides.
Ainsi, cette nouvelle mémoire MLC dispose d’un débit de 30 Mb/s en lecture et 8 Mb/s en écriture au lieu de 17 Mb/s et 4.4 Mb/s avec des puces MLC 60 nm et 33 Mb/s et 13 Mb/s pour les puces SLC.
D’après Samsung, l’industrie devrait rapidement migrer vers des puces 16 Gb suite à une augmentation de la demande dans les mois à venir.
La firme coréenne espère atteindre les 21 milliards de dollars de chiffre d’affaires grâce à la mémoire flash d’ici à 2010.
2 réponses à “Samsung annonce la mémoire flash NAND MLC 51nm”
quote : « La mémoire MLC est confrontée à la mémoire SLC, qui est plus rapide mais moins chère. »
… là c’est même plus de la concurence… :^:
Je pense que la tournure de phrase n’est pas bonne. :-p
oui effectivement :-p. merci lordb, c’est corrigé 😉