Samsung a récemment annoncé avoir réussit à produire des puces mémoires de 4 Gb DDR3 grâce à l’emploi de sa technologie de gravure en 50nm.
Grâce à celle-ci la firme coréenne explique qu’elle arrive à fabriquer par rapport aux modules DDR3 actuels des barrettes mémoire de capacité supérieures qui ont également pour avantage de consommer jusqu’à 40% d’énergie en moins.
Cette puce de 4 Gb DDR3 gravée en 50nm fonctionne à 1.35 volts et offre une vitesse pouvant atteindre 1.6 Gb/s.
Samsung devrait ainsi prochainement lancer des barrettes mémoire de 8 Go DDR3 pour ordinateurs portables, plutôt pas mal, même s’il faudra bien sûr disposer d’un système 64 bits pour en tirer partie.
D’après les dernières analyses d’IDC, les barrettes mémoire DDR3 compteront cette année pour 29% de l’ensemble du marché DRAM mais représenteront 72% des modules vendus en 2011.
[Source : InformationWeek]
