Via leur joint-venture IMTF (Intel-Micron Flash Technologies) créée en 2006, Intel et Micron annonce la production de puces mémoires gravées en 25nm.

Wafer memoire flash NAND 25nm

Les premiers exemplaires de ces puces mémoires flash NAND MLC dotées d’une gravure de 25nm sont le résultat d’un processus de fabrication à "lithographie par immersion" et affichent une capacité de 8 Go. Leur production de masse devrait elle débuter le trimestre prochain.

D’une dimension de 167mm², les puces de 64 Gbits (8 Go) de 25nm sont aussi grandes qu’une puce de 4 Go gravée en 34nm. Autrement dit, alors qu’un SSD de 256 Go à base de puces mémoires de 34nm nécessite 64 puces mémoires, il n’en faudrait plus que 32 si ce SSD emploie les nouvelles puces gravées en 25nm.

Ces nouvelles puces utilisent la vesion 2.2 de l’ONFI (Open NAND Flash Interface) qui autorise des débits de 200 Mo/s. L’IMFT travaille à ce sujet déjà sur l’ONFI 3.0 qui permettra des transferts de données à 400 Mo/s.

Et concernant leur endurance/fiabilité, elle est similaire à celles des puces de 34nm. Autrement dit, les puces de 8 Go en 32nm supportent 5000 cycles d’écriture/effacement.

Intel et Micron espèrent ainsi parvenir à démocratiser les SSD en abaissant le coût de production de ces disques qui restent chers par rapport aux disques durs mécaniques traditionnels.

Grâce au nouveau procédé de fabrication ainsi qu’au passage à une gravure de 25nm, le coût du Go/dollar pour les SSD devrait passer de 1.75 dollar/Go (45nm) à 0.5 dollar/Go

Les premiers SSD intégrant les nouvelles puces mémoires gravées en 32nm sont attendus pour le 4ème trimestre 2010 avec la troisième génération de SSD Intel X25-M en versions 160 Go, 320 Go et 600 Go. Nous devrions donc voir une baisse sensible des tarifs des SSD s’amorcer à l’occasion, même si bien sûr il ne faut pas s’attendre à des prix divisés par deux. En effet, d’autres facteurs que la mémoire employée entrent en ligne de compte lors de la production et notamment le contrôleur.

En quelques années, l’IMTF a montré tout son potentiel alors que les premières puces mémoires en 50nm ont été introduites en 2006 suivies en 2008 par des puces en 34nm. De son côté, le concurrent Samsung commence sa transition vers une gravure en 30nm.

[Source : ComputerWorld]