Alors qu’il y a seulement quelques jours Intel annonçait posséder une technologie de gravure de mémoire flash NAND en 20nm (voir cet article), Toshiba et SanDisk indiquent eux qu’ils ont atteint une finesse de gravure de 19nm.
Toshiba affirme qu’il est en mesure de fabriquer de la mémoire Flash NAND gravée en 19nm grâce à un processus combinant 2 bits par cellule (X2) pour des modules de 64 Gb, soit 8 Go. La firme japonaise produira également par la suite des produits à base de puces mémoire dotées de 3 bits par cellule (X3).
Les premiers exemplaires de modules mémoire Flash NAND X2 de 8 Go en 19nm seront disponibles à la fin du mois, la production de masse étant prévue pour le courant du 3ème trimestre 2011. Grâce à cette technologie, Toshiba annonce pouvoir offrir des SSD de petite taille d’une capacité de 128 Go qui pourront intégrer des Smartphones et Tablettes.
Une annonce similaire a eu lieu du côté de SanDisk quant à la production de modules mémoire 64 Gb X2 en 19nm, la marque précisant qu’elle sera aussi en mesure d’ajouter à sa gamme des produits bénéficiant de la technologie X3 en 19nm au cours du second semestre 2011.
Yoram Cedar, vice président chez SanDisk déclare à ce propos :
Nous sommes heureux d’annoncer les plus petites puces au monde au plus bas prix basées sur la technologie de pointe en 19nm dans le cadre de notre collaboration continue avec notre partenaire de fabrication Toshiba.
[Source : LaptopSpirit]
