Toshiba présente au salon du CES 2018 de Las Vegas son nouveau SSD RC100 au format M.2 ainsi qu’une nouvelle technologie QLC NAND et un SSD externe XS700.
Le nouveau SSD Toshiba RC100 adopte un format M.2 NVMe PCIe compact (22x42mm) et se présente comme une alternative abordable aux SSD haut de gamme NVMe.
Il intègre en son sein une mémoire flash NAND BiCS 64 couches TLC (Triple-Level Cell) ainsi qu’un contrôleur maison.
De plus, le SSD Toshiba RC100 profite de la technologie Host Memory Buffer (HMB), ce qui l’aide à offrir des débits annoncés de 1620 Mo/s en lecture (160 000 IOPS) et 1130 Mo/s en écriture (120 000 IOPS).
Garanti 3 ans, le nouveau SSD Toshiba RC100 compact et performant s’annonce dans des capacités de 120 Go, 240 Go et 480 Go. Son tarif n’a pas été communiqué et son lancement interviendrait dans le courant du 1er trimestre.
Dans le même temps Toshiba dévoile une nouvelle technologie pour SSD, la mémoire QLC (Quad-Level Cell) NAND qui représente une évolution du TLC.
Plus précisément, la firme japonaise a présenté la première mémoire flash NAND 3D BiCS 96 couches 512 Go. Pour l’instant, on ne sait pas si cette augmentation de la densité se répercutera sur les performances des SSD employant une telle mémoire.
Toshiba présente aussi au CES 2018 son SSD externe XS700 à mémoire flash NAND 3D BiCS TLC (Triple-Level Cell) 64 couches.
Il adopte la norme SATA 3.0 (6.0 Gb/s) et emploie une connectique USB 3.1 Type-C (Gen2) et sera fourni avec un adaptateur USB classique.
Côté performances, il est question de 530 Mo/s en lecture et 480 Mo/s en écriture pour le SSD externe Toshiba XS700 de 240 Go qui pèse 90 grammes et mesure 95 x 75 x 11 mm.
